采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
连续漏极电流：1A
类型：1个N沟道
导通电阻：785mΩ@10V，1A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：345，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQT5P10TF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：1个P沟道
导通电阻：1.05Ω@10V，500mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3462-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：3.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：155pF@20V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：785mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC3601N
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：153pF@50V
连续漏极电流：1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：500mΩ@1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
