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    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 100V
    类型: N沟道
    功率: 150W
    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订25个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

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    漏源电压:100V

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订93个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

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    栅极电荷:53nC@10V

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订2个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订10个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订5个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    栅极电荷:53nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":384,"22+":2423}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

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    ECCN:EAR99

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1600个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

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    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订1000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

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    栅极电荷:53nC@10V

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    输入电容:2880pF@25V

    连续漏极电流:9A€61A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    输入电容:2880pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9A€61A

    栅极电荷:53nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

    ECCN:EAR99

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:53nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订1600个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB3652

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    阈值电压:4V@250µA

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652 起订800个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):FDB3652

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    导通电阻:16mΩ@61A,10V

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    onsemi Mosfet场效应管 FDB3652-F085 起订5000个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

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    规格型号(MPN):FDB3652-F085

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    栅极电荷:53nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@61A,10V

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