品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":17974}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
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输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
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连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
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漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2015pF@25V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101
功率:2.5W
阈值电压:4V@250μA
连续漏极电流:12.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:8mΩ@10V,13A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: