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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
输入电容：2060pF @ 50V
连续漏极电流：10A
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：10.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
输入电容：2060pF @ 50V
连续漏极电流：10A
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：10.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W
阈值电压：4V @ 250µA
栅极电荷：30nC @ 10V
输入电容：2060pF @ 50V
连续漏极电流：10A
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：10.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD86100
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：2.2W
阈值电压：4V @ 250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC @ 10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2060pF @ 50V
连续漏极电流：10A
类型：2 N 沟道（双）共源
导通电阻：10.5 毫欧 @ 10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
