品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86101DC
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.2W€125W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@14.5A,10V
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:14.5A€60A
输入电容:3135pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS6B05NT1G
栅极电荷:44nC@10V
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.3W€138W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:8mΩ@20A,10V
连续漏极电流:16A€104A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8090
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:10A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:13mΩ@10A,10V
输入电容:1800pF@50V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
输入电容:70pF@50V
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
漏源电压:100V
功率:690mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":41268}
规格型号(MPN):NTMFS6B14NT1G
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:3.1W€77W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:10A€50A
输入电容:1300pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
导通电阻:15mΩ@20A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86160
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:14mΩ@9A,10V
类型:N沟道
功率:2.3W€54W
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:9A€43A
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8601
输入电容:210pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:109mΩ@2.7A,10V
阈值电压:4V@250µA
功率:1.6W
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:汽车,工业
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD5P10TM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:1.05Ω@1.8A,10V
栅极电荷:8.2nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:3.6A
输入电容:250pF@25V
功率:2.5W€25W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS10N3D2C
连续漏极电流:151A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:138W
类型:N沟道
阈值电压:4V@370µA
输入电容:6215pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:3.2mΩ@67A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":11880,"23+":10500}
规格型号(MPN):FDMS10C4D2N
栅极电荷:65nC@10V
连续漏极电流:17A
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@44A,10V
类型:N沟道
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
输入电容:4500pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
导通电阻:160mΩ@3.4A,10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
栅极电荷:3.61nC@10V
功率:14.9W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMC083NP10M5L
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:222pF@50V€525pF@50V
漏源电压:100V
功率:1.6W€3.1W
连续漏极电流:2.9A€4.1A€2.4A€3.3A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:7A€20A
输入电容:965pF@50V
阈值电压:4V@250µA
功率:2.3W€41W
导通电阻:24mΩ@7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD19N10LTM
栅极电荷:18nC@5V
输入电容:870pF@25V
功率:2.5W€50W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:15.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@7.8A,10V
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT3612
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@3.7A,10V
输入电容:632pF@50V
功率:3W
连续漏极电流:3.7A
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STTFS015N10MCL
导通电阻:12.9mΩ@14A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1338pF@50V
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:10A€42A
阈值电压:3V@77µA
功率:2.5W€45W
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3672
输入电容:2015pF@25V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:23mΩ@7.5A,10V
漏源电压:100V
栅极电荷:37nC@10V
连续漏极电流:7.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":3000}
规格型号(MPN):FDMS86183
栅极电荷:14nC@6V
导通电阻:12.8mΩ@16A,10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:1515pF@50V
功率:63W
阈值电压:4V@90µA
ECCN:EAR99
连续漏极电流:51A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86102LZ
输入电容:1290pF@50V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:24mΩ@6.5A,10V
连续漏极电流:7A€18A
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@250µA
功率:2.3W€41W
栅极电荷:22nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC8602
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:1.2A
类型:2N沟道(双)
功率:690mW
导通电阻:350mΩ@1.2A,10V
阈值电压:4V@250µA
输入电容:70pF@50V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":2267,"MI+":425}
规格型号(MPN):NTY100N10G
功率:313W
输入电容:10110pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:350nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:123A
包装方式:管件
导通电阻:10mΩ@50A,10V
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86184
栅极电荷:20nC@6V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:2090pF@50V
连续漏极电流:57A
导通电阻:8.5mΩ@21A,10V
阈值电压:4V@110µA
ECCN:EAR99
功率:54W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS89161LZ
输入电容:302pF@50V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.7A
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
阈值电压:2.2V@250µA
功率:1.6W
导通电阻:105mΩ@2.7A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDT1600N10ALZ
阈值电压:2.8V@250µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:225pF@50V
类型:N沟道
功率:10.42W
栅极电荷:3.77nC@10V
导通电阻:160mΩ@2.8A,10V
连续漏极电流:5.6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86140
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
功率:2.5W€5W
连续漏极电流:11.2A
阈值电压:4V@250µA
输入电容:2580pF@50V
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
漏源电压:100V
导通电阻:9.8mΩ@11.2A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3662
阈值电压:4.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4620pF@50V
栅极电荷:75nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@8.9A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
连续漏极电流:8.9A€49A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8622
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:4A€16A
类型:N沟道
栅极电荷:7.3nC@10V
功率:2.5W€31W
输入电容:402pF@50V
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:100V
导通电阻:56mΩ@4A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存: