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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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生产批次：{"19+"：3600}
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规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
输入电容：585pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
功率：39W
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
输入电容：585pF@100V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：4.5V@260µA
栅极电荷：14nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
功率：39W
漏源电压：800V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU2250N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：39W
阈值电压：4.5V@260µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：585pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：2.25Ω@1.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
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