品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
功率:68W
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FQB5N90TM
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:5.4A
功率:3.13W€158W
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
输入电容:1550pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
漏源电压:900V
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:60W
输入电容:2080pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:6.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
规格型号(MPN):BFL4026-1E
功率:2W€35W
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":730}
规格型号(MPN):FQP8N90C
漏源电压:900V
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:171W
输入电容:2080pF@25V
包装方式:管件
连续漏极电流:6.3A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQAF11N90C
输入电容:3290pF@25V
漏源电压:900V
栅极电荷:80nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
功率:120W
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
包装方式:管件
导通电阻:1.1Ω@3.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:7A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQP9N90C
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:2730pF@25V
功率:205W
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
连续漏极电流:8A
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"15+":71,"18+":7650,"19+":38900,"21+":27,"23+":398,"9999":350,"MI+":2257}
规格型号(MPN):BFL4026-1E
功率:2W€35W
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:33nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:3.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF4N90CT
连续漏极电流:4A
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:47W
输入电容:960pF@25V
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3440,"20+":50400,"MI+":20160}
销售单位:个
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU2N90TU-WS
功率:2.5W€50W
漏源电压:900V
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":4500,"MI+":450}
规格型号(MPN):FQA8N90C-F109
漏源电压:900V
栅极电荷:45nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:240W
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
导通电阻:1.9Ω@4A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):100psc
规格型号(MPN):BFL4001
栅极电荷:44nC@10V
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€37W
类型:N沟道
连续漏极电流:4.1A
导通电阻:2.7Ω@3.25A,10V
包装方式:袋
输入电容:850pF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):FQPF4N90C
连续漏极电流:4A
漏源电压:900V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
功率:47W
输入电容:960pF@25V
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
包装方式:管件
栅极电荷:22nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":7000,"24+":2250}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:56W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8N90CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5454}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF4N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:47W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:管件
输入电容:960pF@25V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:4.2Ω@2A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":44,"20+":43,"23+":6150,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BFL4026-1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:管件
输入电容:650pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@2.5A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":730}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1000,"21+":613,"22+":179,"MI+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI4N90TU
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€140W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:4.2A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@2.1A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":220}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA9N90-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:8.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@4.3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":4370,"18+":6684,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:6.3A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@3.15A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP6N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:167W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1770pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@3A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N90TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.13W€158W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:2.3Ω@2.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":337}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: