首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    漏源电压
    60V
    阈值电压
    工作温度
    包装方式
    行业应用
    连续漏极电流
    品牌: ON SEMI
    漏源电压: 60V
    阈值电压: 4V@250μA
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:30+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:14
    加购:13
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:22nC@10V

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:110mΩ@10V,1.5A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2400
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C645NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C645NT1G

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:3.7W€80W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20.4nC@10V

    输入电容:1.51nF@25V

    连续漏极电流:20A€94A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:4.5mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:125
    加购:13
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:800
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDP038AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP038AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:310W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:124nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:6.4nF@25V

    连续漏极电流:17A€80A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:367pF@25V

    导通电阻:3.5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30
    加购:13
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDB050AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB050AN06A0

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:80nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3.9nF@25V

    连续漏极电流:18A€80A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:5mΩ@10V,80A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧