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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9958
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9945
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT3G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9958
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9948
工作温度：-55℃~175℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：394pF@30V
连续漏极电流：2.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@2.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS9958
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1020pF@30V
连续漏极电流：2.9A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS9945
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：100mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5198NLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：5.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：182pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：N沟道
导通电阻：155mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
