采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：22.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：22.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：22.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD024N06CT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：28W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.7nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：24A
类型：MOSFET
导通电阻：22.6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"05+"：3148}
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
类型：N沟道
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
连续漏极电流：24A
栅极电荷：48nC@10V
输入电容：1200pF@25V
ECCN：EAR99
功率：1.36W€62.5W
导通电阻：42mΩ@10A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：32nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1140pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@10A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5414NT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@24A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：3148}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD24N06-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.36W€62.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：48nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
