品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA38N30
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:38A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA38N30
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:38A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB38N30U
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:73nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3340pF@25V
连续漏极电流:38A
类型:N沟道
导通电阻:120mΩ@19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":374}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA44N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@21.75A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":374}
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA44N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:310W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@25V
连续漏极电流:43.5A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@21.75A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA38N30
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
栅极电荷:60 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:38A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA38N30
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:312W(Tc)
阈值电压:5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:2600 pF @ 25 V
连续漏极电流:38A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:85 毫欧 @ 19A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3150}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA59N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4670pF@25V
连续漏极电流:59A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@29.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":2250,"MI+":1350}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA38N30
工作温度:-55℃~150℃
功率:290W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4400pF@25V
连续漏极电流:38.4A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@19.2A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB28N30TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:50nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@25V
连续漏极电流:28A
类型:N沟道
导通电阻:129mΩ@14A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: