品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8876
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:70W(Tc)
阈值电压:2.5V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700 pF @ 15 V
连续漏极电流:15A(Ta),73A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:8.2 毫欧 @ 35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8667-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:5.5A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:39mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":3000,"18+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8664R-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:23.5mΩ@3.5A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC5018SG
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€1.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@15V
连续漏极电流:17A€32A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:5mΩ@17A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":7085,"09+":2310,"10+":2500,"11+":31427}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4884NFR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:770mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:360pF@15V
连续漏极电流:3.3A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8027S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€36W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1815pF@15V
连续漏极电流:18A€22A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3604S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@15V
连续漏极电流:13A€23A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA3023PZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:530pF@15V
连续漏极电流:2.9A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:90mΩ@2.9A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C10NBT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.51W€23.6W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:987pF@15V
连续漏极电流:16.4A€46A
类型:N沟道
导通电阻:6.95mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLJF4156NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:710mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:427pF@15V
连续漏极电流:2.5A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS7602S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1750pF@15V
连续漏极电流:12A€17A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6912A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:575pF@15V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTGS4141NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:560pF@24V
连续漏极电流:3.5A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@7A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€31W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2045pF@15V
连续漏极电流:8.5A€18A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":75000,"22+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS4C08NTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:820mW€25.5W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1113pF@15V
连续漏极电流:9.3A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":117781,"12+":4500,"13+":3000,"14+":34260}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4943NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:910mW€22.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1401pF@15V
连续漏极电流:8.3A€41A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":2500,"18+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806NAT4G
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":59502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4917NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:880mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1054pF@25V
连续漏极电流:7.1A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS0310AS
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2280pF@15V
连续漏极电流:19A€22A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPC8013S
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW€900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:827pF@15V
连续漏极电流:13A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6.4mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS015P03P8ZTWG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.66W€33.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2706pF@15V
连续漏极电流:13.4A€47.6A
类型:P沟道
导通电阻:9.3mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8882
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1260pF@15V
连续漏极电流:12.6A€55A
类型:N沟道
导通电阻:11.5mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":216732,"15+":481087,"18+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8315-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@3.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2633}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC0310AS-F127
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3165pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@19A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS3660S
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1765pF@15V
连续漏极电流:30A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
导通电阻:8mΩ@13A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS1D7N03CGT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€87W
阈值电压:2.2V@90µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3780pF@15V
连续漏极电流:35A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.74mΩ@18A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8023S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€59W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3550pF@15V
连续漏极电流:26A€49A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@26A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: