品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP2710
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7280pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD7N25LZTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:56W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@25V
连续漏极电流:6.2A
类型:1个N沟道
导通电阻:550mΩ@3.1A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":0}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N25CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@4.4A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta),78W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2365 pF @ 100 V
连续漏极电流:2.8A(Ta),14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:122 毫欧 @ 2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP51N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:320W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3410pF@25V
连续漏极电流:51A
类型:N沟道
导通电阻:60mΩ@25.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS2734
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:2.5W(Ta)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:45 nC @ 10 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2610 pF @ 100 V
连续漏极电流:3A(Ta)
类型:N 通道
导通电阻:117 毫欧 @ 3A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":930}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF44N25TRDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:38W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2870pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@22A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDA69N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:480W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4640pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@34.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CPH3461-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:2.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:140pF@20V
连续漏极电流:350mA
类型:N沟道
导通电阻:6.5Ω@170mA,4.5V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF33N25T
工作温度:-55℃~+150℃
功率:37W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:48nC@10V
输入电容:2.135nF@25V
连续漏极电流:33A
类型:1个N沟道
导通电阻:94mΩ@10V,16.5A
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDU6N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:250pF@25V
连续漏极电流:4.4A
类型:N沟道
导通电阻:1.1Ω@2.2A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存: