采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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功率：214W
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类型：N沟道
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漏源电压：80V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：N沟道
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漏源电压：80V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
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输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8382，"22+"：8394}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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功率：214W
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栅极电荷：75nC@10V
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8382，"22+"：8394}
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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功率：214W
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连续漏极电流：80A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8382，"22+"：8394}
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：8382，"22+"：8394}
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
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ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86368-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4350pF@40V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
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栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
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类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W
阈值电压：2V
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~+175℃
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包装方式：Reel
连续漏极电流：80A
类型：MOSFET
导通电阻：6.7mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
