采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：FQD2N100TM
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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功率：225W
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包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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包装方式：管件
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连续漏极电流：8A
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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功率：225W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
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输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
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规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
漏源电压：1000V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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功率：225W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
阈值电压：5V@250µA
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连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
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功率：225W
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行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
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规格型号(MPN)：FQA8N100C
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA8N100C
工作温度：-55℃~150℃
功率：225W
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栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.45Ω@4A，10V
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