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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：59025}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11550}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-35G
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功率：1.2W€34.9W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
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类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：N沟道
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11550}
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销售单位：个
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-35G
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功率：1.2W€34.9W
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
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输入电容：702pF@12V
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漏源电压：16V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
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ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-35G
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栅极电荷：21nC@4.5V
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连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：135979}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
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类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
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功率：1.2W€25.9W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
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类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：15525}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
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导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-1G
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类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：75000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
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类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7275}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
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功率：1.3W€52W
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栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：11100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-1G
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ECCN：EAR99
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
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类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：15525}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-35G
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类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：14400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：10.5nC@4.5V
包装方式：管件
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连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
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包装方式：管件
输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
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输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€25.9W
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输入电容：702pF@12V
连续漏极电流：7.6A€34.5A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3808N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W€52W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@12V
连续漏极电流：12A€76A
类型：N沟道
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3813NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W€34.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：963pF@12V
连续漏极电流：9.6A€51A
类型：N沟道
导通电阻：8.75mΩ@15A，10V
漏源电压：16V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：59025}
规格型号(MPN)：NTD3808NT4G
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
栅极电荷：21nC@4.5V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
功率：1.3W€52W
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：1660pF@12V
导通电阻：5.8mΩ@15A，10V
连续漏极电流：12A€76A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"08+"：75000}
规格型号(MPN)：NTD3817NT4G
连续漏极电流：7.6A€34.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：16V
导通电阻：13.9mΩ@15A，10V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
栅极电荷：10.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~175℃
ECCN：EAR99
输入电容：702pF@12V
功率：1.2W€25.9W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
