采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：680，"21+"：146，"22+"：800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB088N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6595pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB088N08
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：118nC@10V
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输入电容：6595pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：5000，"21+"：2824，"23+"：6869}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0-F085
工作温度：-55℃~175℃
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ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
