采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：1985，"16+"：2500，"MI+"：17500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FW276-TL-2H
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SSN1N45BTA
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功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
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功率：1.6W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
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功率：1.6W
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ECCN：EAR99
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输入电容：55pF@20V
连续漏极电流：700mA
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：450V
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功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
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连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
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类型：2N沟道（双）
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漏源电压：450V
阈值电压：4.5V@1mA
导通电阻：12.1Ω@350mA，10V
功率：1.6W
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
类型：N 通道
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功率：900mW（Ta）
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：500mA（Tc）
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
类型：N 通道
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功率：900mW（Ta）
包装方式：剪切带（CT）
连续漏极电流：500mA（Tc）
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：900mW（Ta）
阈值电压：3.7V @ 250µA
栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：240 pF @ 25 V
连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：4.25 欧姆 @ 250mA，10V
漏源电压：450V
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连续漏极电流：500mA（Tc）
类型：N 通道
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工作温度：-55°C~150°C（TJ）
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栅极电荷：8.5 nC @ 10 V
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