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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
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连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V€850pF@40V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMQ8203
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@50V
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
漏源电压：100V€80V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMQ8203
输入电容：210pF@50V
漏源电压：100V€80V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A€2.6A
类型：2个N沟道+2个P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，10V
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
栅极电荷：5nC@10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMQ8203
漏源电压：100V€80V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：3.4A€2.6A
工作温度：-55℃~150℃
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输入电容：210pF@50V€850pF@40V
导通电阻：110mΩ@3A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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