品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:750mA€410mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:750mA€410mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD0D9N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.04W
阈值电压:2V@340µA€2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V€5050pF@13V
连续漏极电流:14A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
输入电容:120pF@10V
漏源电压:30V€25V
类型:N和P沟道
包装方式:卷带(TR)
功率:300mW
连续漏极电流:750mA€410mA
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:1.5V@250µA
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD0D9N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.04W
阈值电压:2V@340µA€2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V€5050pF@13V
连续漏极电流:14A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG8842CZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:120pF@10V
连续漏极电流:750mA€410mA
类型:N和P沟道
导通电阻:400mΩ@750mA,4.5V
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD0D9N02P1E
工作温度:-55℃~150℃
功率:960mW€1.04W
阈值电压:2V@340µA€2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@15V€5050pF@13V
连续漏极电流:14A€30A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:30V€25V
包装清单:商品主体 * 1
库存: