采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"07+"：9000，"09+"：1305000，"14+"：6000，"16+"：21000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
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工作温度：55℃~150℃
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包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：2990，"04+"：3000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
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晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：175欧姆，10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
工作温度：55℃~150℃
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集电集截止电流(Icbo)：500nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
功率：350mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：500nA
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
功率：350mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：达林顿管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
特征频率：125MHz
晶体管类型：NPN
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
工作温度：55℃~150℃
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
集电集截止电流(Icbo)：500nA
ECCN：EAR99
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
功率：350mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
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规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：数字晶体管
行业应用：工业,其它
生产批次：{"03+"：2990，"04+"：3000}
销售单位：个
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：250mV @ 1mA，10mA / 250mV @ 300µA，10mA
集电集截止电流(Icbo)：500nA
包装方式：卷带（TR）
电阻比：10千欧
ECCN：EAR99
集电极电流(Ic)：200mA
输入电阻：175欧姆，10千欧
集射极击穿电压(Vceo)：50V
功率：350mW
晶体管类型：2 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式
包装清单：商品主体 * 1
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销售单位：个
规格型号(MPN)：MMBTA28
集射极击穿电压(Vceo)：80V
集电极电流(Ic)：800mA
功率：350mW
集电集截止电流(Icbo)：500nA
特征频率：125MHz
工作温度：55℃~150℃
集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)：1.5V@100µA，100mA
包装方式：卷带（TR）
晶体管类型：NPN
直流增益(hFE@Ic，Vce)：10000@100mA，5V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
