采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：659500，"14+"：3075，"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD05N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：350，"11+"：659500，"14+"：3075，"16+"：2400}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD05N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.9W€18W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：9.8A€24A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDD05N50Z-1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2.2A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
连续漏极电流：9.8A€24A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：2.9W€18W
栅极电荷：9.8nC@10V
阈值电压：2.2V@20µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：530pF@25V
导通电阻：16mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C486NLT4G
连续漏极电流：9.8A€24A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
类型：N沟道
功率：2.9W€18W
栅极电荷：9.8nC@10V
阈值电压：2.2V@20µA
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：530pF@25V
导通电阻：16mΩ@10A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
