采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVC3S5A51PLZT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.2W
阈值电压：2.6V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：262pF@20V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：250mΩ@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：3000，"11+"：1571}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS3441PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：510mW
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@15V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：110mΩ@3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTRV4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTRV4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1902
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19995}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1436-TL-W
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：88pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@900mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR4101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@10V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@1.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGS5120PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：18.1nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：942pF@30V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：111mΩ@2.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
