品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:9.5nC@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
包装方式:卷带(TR)
输入电容:750pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"12+":1192,"13+":3000,"14+":10166,"17+":370,"9999":1188}
规格型号(MPN):MCH6337-TL-E
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
导通电阻:49mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.3V@1mA
类型:P沟道
输入电容:670pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
输入电容:625pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:4.5A
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:18+
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6337-TL-E
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
导通电阻:49mΩ@3A,4.5V
阈值电压:1.3V@1mA
类型:P沟道
输入电容:670pF@10V
漏源电压:20V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLUS030N03CTAG
功率:640mW
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:8nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@6A,10V
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:400pF@15V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8657-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
输入电容:230pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:59mΩ@2A,10V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8657-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
类型:2N沟道(双)
输入电容:230pF@20V
ECCN:EAR99
导通电阻:59mΩ@2A,10V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
栅极电荷:17nC@10V
类型:N沟道
阈值电压:3.5V@250µA
功率:52W
漏源电压:600V
输入电容:720pF@25V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"22+":23252}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3692
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
导通电阻:60mΩ@4.5A,10V
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:15nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
输入电容:746pF@25V
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"11+":610591,"15+":3000,"18+":27000}
规格型号(MPN):MCH6337-TL-H
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
功率:1.5W
导通电阻:49mΩ@3A,4.5V
类型:P沟道
输入电容:670pF@10V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"13+":530700,"15+":180000,"21+":3000,"9999":517}
规格型号(MPN):MCH3477-TL-H
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
输入电容:410pF@10V
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@2A,4.5V
栅极电荷:5.1nC@4.5V
漏源电压:20V
功率:1W
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638P
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:48mΩ@4.5A,4.5V
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:14nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
漏源电压:20V
功率:1.6W
输入电容:1160pF@10V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC640P
阈值电压:1.5V@250μA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:13nC@4.5V
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:890pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
类型:1个P沟道
导通电阻:53mΩ@4.5A,4.5V
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:520pF@15V
功率:680mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS3992
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:2N沟道(双)
输入电容:750pF@25V
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:62mΩ@4.5A,10V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC638APZ
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
栅极电荷:12nC@4.5V
类型:P沟道
阈值电压:1.5V@250µA
输入电容:1000pF@10V
漏源电压:20V
功率:1.6W
导通电阻:43mΩ@4.5A,4.5V
ECCN:EAR99
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB5N60CTM-WS
功率:100W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:2.5Ω@2.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6342-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V@1mA
栅极电荷:8.6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:P沟道
导通电阻:73mΩ@2A,4.5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD6N40CTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€48W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:625pF@25V
连续漏极电流:4.5A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@2.25A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCD900N60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.5A
类型:N-Channel
导通电阻:900mΩ@2.3A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":223202,"10+":2500,"22+":50000,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMD4840NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:680mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:520pF@15V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24mΩ@6.9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: