品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDTL01N60ZT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:4.5V@50µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:4.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:92pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:15Ω@400mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":3000,"16+":111000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MCH6604-TL-E
工作温度:150℃
功率:800mW
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTJD4001NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTJD4001NT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:272mW
阈值电压:1.5V@100µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:33pF@5V
连续漏极电流:250mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: