采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN361BN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11000，"21+"：3496，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
输入电容：193pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.4A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：5487，"MI+"：2406}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTS2101PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：290mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@8V
连续漏极电流：1.4A
类型：P沟道
导通电阻：100mΩ@1A，4.5V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2512-P
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：344pF@75V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：425mΩ@1.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS351AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：145pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@1.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
