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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
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类型：N沟道
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输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
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连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
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功率：10.42W
栅极电荷：3.77nC@10V
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连续漏极电流：5.6A
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阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：225pF@50V
类型：N沟道
功率：10.42W
栅极电荷：3.77nC@10V
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
连续漏极电流：5.6A
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
阈值电压：2.8V@250µA
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：225pF@50V
类型：N沟道
功率：10.42W
栅极电荷：3.77nC@10V
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
连续漏极电流：5.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT1600N10ALZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：10.42W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：3.77nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@50V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@2.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3A50PZTAG
功率：1.4W
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.6A
类型：2个P沟道
导通电阻：50mΩ@4.5V，4A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
