品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5665pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5665pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":2476}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP207-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@20V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1265}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5945pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4950}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL040N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:159nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5945pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1265}
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP207-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@20V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCHD040N65S3-F155
工作温度:-55℃~+150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@1.7mA
栅极电荷:136nC@10V
输入电容:4.74nF@400V
连续漏极电流:65A
类型:1个N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHLD040N65S3HF
工作温度:-55℃~+150℃
功率:446W
阈值电压:3V
栅极电荷:159nC
包装方式:Tube
连续漏极电流:65A
类型:MOSFET
导通电阻:32mΩ
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCH040N65S3-F155
工作温度:-55℃~150℃
功率:417W
阈值电压:4.5V@6.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":1082,"21+":3554,"22+":19003,"23+":2547}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"9999":2476}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP207-TL-H
工作温度:150℃
功率:50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:54nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@20V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@33A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:158nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5940pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86369-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:107W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2470pF@40V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@65A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVH4L040N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@2.1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5665pF@400V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@32.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: