采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1082，"21+"：3554，"22+"：19003，"23+"：2547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1082，"21+"：3554，"22+"：19003，"23+"：2547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1287}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1082，"21+"：3554，"22+"：19003，"23+"：2547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"9999"：2476}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1287}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1287}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1287}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP207-TL-H
工作温度：150℃
功率：50W
栅极电荷：54nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2710pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9509L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：67nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3360pF@20V
连续漏极电流：65A
类型：P沟道
导通电阻：8mΩ@65A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：1082，"21+"：3554，"22+"：19003，"23+"：2547}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86369-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@40V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@65A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
