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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 110A
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9403-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:213nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":1057,"22+":243}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":648,"18+":3152,"22+":36800,"MI+":1600}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTBS2D7N06M7 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTBS2D7N06M7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86366-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86366-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:112nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6280pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订1600个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订1600个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86360-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86360-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86360-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:253nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14600pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86363-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9406-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9406-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:138nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7710pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9503L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9503L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9503L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9503L-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9503L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:255nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8320pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:P沟道

    导通电阻:2.6mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP86363-F085 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP86363-F085 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP86363-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:10000pF@40V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":529,"21+":571,"22+":58400,"23+":829,"MI+":5800}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C446NT4G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD5C446NT4G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):202psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD5C446NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:66W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:34.3nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86563-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86563-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:163nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB9403-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB9403-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:213nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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