采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
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漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：333W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：253nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14600pF@25V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：176W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：112nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6280pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
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栅极电荷：150nC@10V
包装方式：管件
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连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@40V
连续漏极电流：110A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB86363-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：2.4mΩ@80A，10V
输入电容：10000pF@40V
阈值电压：4V@250µA
功率：300W
栅极电荷：150nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86360-F085
阈值电压：4.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
输入电容：14600pF@25V
栅极电荷：253nC@10V
ECCN：EAR99
功率：333W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：6280pF@40V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB86366-F085
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：80V
导通电阻：3.6mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：110A
输入电容：6280pF@40V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：112nC@10V
ECCN：EAR99
功率：176W
包装清单：商品主体 * 1
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