采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：2853，"23+"：4876，"MI+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：241}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：73W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：73W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：73W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H848NLT1G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：73W
阈值电压：4V
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：57A
类型：MOSFET
导通电阻：9.4mΩ
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：2853，"23+"：4876，"MI+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：27900，"23+"：73350，"MI+"：3600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：2853，"23+"：4876，"MI+"：2600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB150N10
工作温度：-55℃~150℃
功率：110W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4760pF@25V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@49A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTHL041N60S5H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：329W
阈值电压：4.3V@6.7mA
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：5.84nF@400V
连续漏极电流：57A
类型：1个N沟道
导通电阻：32.8mΩ@10V，28.5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86184
工作温度：-55℃~150℃
功率：54W
阈值电压：4V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@6V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2090pF@50V
连续漏极电流：57A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@21A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
