品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:1605pF@20V
类型:4N沟道(全桥)
连续漏极电流:11.4A
功率:1.7W
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"MI+":912}
规格型号(MPN):NTL4502NT1
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:4N沟道(全桥)
连续漏极电流:11.4A
漏源电压:24V
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1605pF@20V
ECCN:EAR99
功率:1.7W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":912}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTL4502NT1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.7W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:11mΩ@15A,10V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA11N90-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:94nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:11.4A
类型:N沟道
导通电阻:960mΩ@5.7A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存: