采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@590μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.94nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50
功率：270W
阈值电压：5V@250μA
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，12A
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：181W
阈值电压：4.5V@590μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.94nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
漏源电压：650V
栅极电荷：44nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
阈值电压：4V@2.1mA
连续漏极电流：24A
输入电容：2.2nF@400V
功率：171W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB125N65S3
漏源电压：650V
功率：181W
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：4.5V@590μA
类型：1个N沟道
栅极电荷：46nC@10V
连续漏极电流：24A
导通电阻：125mΩ@12A，10V
输入电容：1.94nF@400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP125N65S3H
工作温度：-55℃~+150℃
功率：171W
阈值电压：4V@2.1mA
栅极电荷：44nC@10V
输入电容：2.2nF@400V
连续漏极电流：24A
类型：1个N沟道
导通电阻：108mΩ@10V，12A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2413
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：32nC@5V
类型：1个N沟道
输入电容：1.14nF@25V
导通电阻：45mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：24A
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
功率：1.36W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA24N50F
漏源电压：500V
导通电阻：200mΩ@12A，10V
类型：1个N沟道
输入电容：4.31nF@25V
栅极电荷：85nC@10V
阈值电压：5V@250μA
包装方式：管件
工作温度：-55℃~+150℃
功率：270W
连续漏极电流：24A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
