采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：11278，"MI+"：15120}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQU2N50BTU-WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€30W
阈值电压：3.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：230pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：5.3Ω@800mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1800，"MI+"：1800}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCU4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：27.8W
阈值电压：4.5V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTGD3133PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：560mW
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：145mΩ@2.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCPF4300N80Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.2W
阈值电压：4.5V@160µA
栅极电荷：8.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：355pF@100V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@800mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MVGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD2N100TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：15.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：9Ω@800mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MGSF1N03LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：420mW
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@5V
连续漏极电流：1.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDN338P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：451pF@10V
连续漏极电流：1.6A
类型：1个P沟道
导通电阻：115mΩ@4.5V，1.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
