品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVMBF0201NLT1G
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF0201NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQN1N60CTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W€3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.2nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:170pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:11.5Ω@150mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2201NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"04+":1253782,"9999":960,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):MMBF2202PT1
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.7nC@10V
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:50pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVMBF0201NLT1G
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVMBF0201NLT1G
功率:225mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@5V
连续漏极电流:300mA
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@300mA,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: