品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS5351
工作温度:-55℃~+150℃
功率:5W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.31nF@30V
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:35mΩ@10V,6.1A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDN028N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@10V
连续漏极电流:6.1A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@5.2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC855N
功率:1.6W
阈值电压:3V@250μA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:6.1A
类型:1个N沟道
导通电阻:27mΩ@10V,6.1A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: