品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":439,"19+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3816-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€50W
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
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连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
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输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K103NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:1.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K103NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:1.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K103NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.3W
阈值电压:1.3V@1mA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:1.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP206-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1630pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":269987}
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2K103NUZTDG
工作温度:150℃
功率:3.3W
阈值电压:1.3V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:1.8mΩ@5A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB082N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:5V@4mA
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3410pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:82mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP102-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1490pF@10V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:18.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMT064N65S3H
工作温度:-55℃~150℃
功率:260W
阈值电压:4V@3.9mA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3745pF@400V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@20A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP405-TL-H
工作温度:150℃
功率:70W
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: