采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：80589}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDS356AP-NB8L005A
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.4nC@5V
包装方式：托盘
输入电容：280pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：200mΩ@1.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：96480，"10+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3191PZTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：16871，"10+"：2400，"11+"：41323}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD6601NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：215mΩ@2.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3600，"23+"：39000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC2612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4.5V@250μA
栅极电荷：11nC@10V
输入电容：234pF@100V
连续漏极电流：1.1A
类型：1个N沟道
导通电阻：725mΩ@1.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTLUD3191PZTBG
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@10V
连续漏极电流：1.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：250mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVR5124PLT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：4.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：240pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：230mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
