品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055-150T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD3055L170T4G-VF01
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:44W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1030pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8310-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@4.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":30,"22+":60}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDUL09N150CG
工作温度:150℃
功率:3W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:114nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2025pF@30V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@3A,10V
漏源电压:1500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":4645}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":995,"22+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50FT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1170pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":87000,"14+":5980}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8419-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@20V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@5A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME820NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:865pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":641,"16+":129500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4503NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:930mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@16V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@14A,10V
漏源电压:28V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055-150T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.8W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3A08PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8882
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:940pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA7672
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:760pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD12N20LTM-F085P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€55W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1080pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@4.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L170T4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W€28.5W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:10nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@25V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:170mΩ@4.5A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS4C09NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:760mW€25.5W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1252pF@15V
连续漏极电流:9A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":7500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS3A08PZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:840mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:P沟道
导通电阻:6.7mΩ@12A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: