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    品牌: ON SEMI
    连续漏极电流: 2.1A
    当前匹配商品:50+
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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4401PT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订1886个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订1886个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":153353}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTS2P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@24V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.48A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订561个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订561个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@50V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订1527个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT3G 起订1527个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"06+":90000,"08+":5300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4401PT3G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTTS2P03R2 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":153353}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTTS2P03R2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@24V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@2.48A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@50V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT1 起订2671个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT1 起订2671个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"03+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4401PT1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订630个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订630个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDD03N40Z-1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":10125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDD03N40Z-1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:37W

    阈值电压:4.5V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:140pF@50V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@600mA,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHD4401PT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":1127,"06+":1768,"07+":1169400,"9999":750}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHD4401PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:300pF@10V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:155mΩ@2.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FQD3P50TM 起订100个装
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    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD3P50TM

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:2.5W€50W

    阈值电压:5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@25V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:4.9Ω@10V,1.05A

    漏源电压:500V

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