采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2710
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
连续漏极电流：50A
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：7.28nF@25V
栅极电荷：101nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
功率：46W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
阈值电压：2V@35µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
输入电容：880pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86380-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
导通电阻：13.4mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86380-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
功率：46W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
阈值电压：2V@35µA
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
输入电容：880pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2710
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
连续漏极电流：50A
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：7.28nF@25V
栅极电荷：101nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：FDB2710
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
连续漏极电流：50A
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：7.28nF@25V
栅极电荷：101nC@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9510L-F085
输入电容：2320pF@20V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
阈值电压：3V@250µA
功率：75W
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86380-F085
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
导通电阻：13.4mΩ@50A，10V
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
ECCN：EAR99
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9510L-F085
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
输入电容：2020pF@20V
阈值电压：3V@250µA
功率：75W
栅极电荷：37nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
包装方式：卷带（TR）
阈值电压：4.2V@250µA
导通电阻：19mΩ@50A，10V
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：1430pF@30V
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：50A
栅极电荷：30nC@10V
功率：75W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：2850，"22+"：46000}
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：150℃
功率：40W
输入电容：1650pF@10V
栅极电荷：27nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：50A
ECCN：EAR99
导通电阻：12mΩ@25A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9510L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8453LZ-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：118W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3515pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.4mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：2V@35µA
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86250-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：160W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@75V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@20A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86580-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1430pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB2710
工作温度：-55℃~+150℃
功率：260W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：101nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7.28nF@25V
连续漏极电流：50A
类型：1个N沟道
导通电阻：42.5mΩ@25A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C673NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€46W
阈值电压：2V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：9.2mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3698}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD86380-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1440pF@40V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：2299，"13+"：2925，"15+"：2599，"19+"：18000，"20+"：9868，"9999"：2373}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ATP202-TL-H
工作温度：150℃
功率：40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@10V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
