品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":970,"21+":26000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI50N06TU
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1540pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1103}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI50N06TU
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1540pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA46N15
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3250pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@25A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI50N06TU
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1540pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2500,"23+":13980,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":970,"21+":26000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI50N06TU
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€120W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1540pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFP50N06
工作温度:-55℃~175℃
功率:131W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:150nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2020pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP150N10A-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1440pF@50V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: