品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDWS86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.4mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3698}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86380-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1440pF@40V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":2299,"13+":2925,"15+":2599,"19+":18000,"20+":9868,"9999":2373}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C673NLAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB2710
工作温度:-55℃~+150℃
功率:260W
阈值电压:5V@250μA
栅极电荷:101nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.28nF@25V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:42.5mΩ@25A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2850,"22+":46000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ATP202-TL-H
工作温度:150℃
功率:40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@10V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86580-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4.2V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@30V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86250-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@75V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9410-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1715pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:4.1mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8447L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1970pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD8453LZ-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:118W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3515pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9510L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2020pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MTB50P03HDLT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€125W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@25A,5V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C673NLT3G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W€46W
阈值电压:2V@35µA
栅极电荷:9.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: