品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":68790,"14+":189550}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
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栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
ECCN:EAR99
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
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输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":4670,"11+":23500,"12+":420891,"MI+":54100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4089LS
工作温度:150℃
功率:2W€40W
栅极电荷:45.4nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1200pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC4435BZ-F127
工作温度:-55℃~+150℃
功率:31W
连续漏极电流:8.5A
类型:MOSFET
导通电阻:20mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZH
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2428}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":752,"22+":1878}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.5W
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:820pF@10V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":47956}
销售单位:个
规格型号(MPN):EMH1405-P-TL-H
工作温度:150℃
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:8.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":4670,"11+":23500,"12+":420891,"MI+":54100}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDF08N50ZG
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1095pF@25V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3.6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD5680
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1835pF@30V
连续漏极电流:8.5A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8884
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:635pF@15V
连续漏极电流:8.5A
类型:1个N沟道
导通电阻:23mΩ@10V,8.5A
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: