采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
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功率：2.5W€125W
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250μA
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类型：1个N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
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连续漏极电流：44A€124A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，44A
漏源电压：100V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：5708，"MI+"：2585}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
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功率：2.5W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：59nC@10V
输入电容：4.125nF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@10V，44A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
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栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
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栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
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ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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