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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订32个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1E 起订63个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1E 起订63个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":202}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4065-DL-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订373个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1EX 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4065-DL-1EX 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3140}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12200pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9407L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9407L-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9407L-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:125nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6700pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS037N08B 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS037N08B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:830mW€104.2W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5915pF@37.5V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:75V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDBA100N10BT4H 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H

    工作温度:175℃

    功率:110W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@50V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.9mΩ@50A,15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86367-F085 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":808}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86367-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4840pF@40V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-1E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-1E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 2SK4066-DL-E 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1583}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK4066-DL-E

    工作温度:150℃

    功率:1.65W€90W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12500pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDL100N50F 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDL100N50F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2500W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:238nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@50A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 BXL4004-1E 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 BXL4004-1E 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"MI+":500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BXL4004-1E

    工作温度:150℃

    功率:75W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:140nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8200pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86567-F085 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86567-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:227W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:82nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4950pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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