品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":202}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3140}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4065-DL-1EX
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD9407L-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6700pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS037N08B
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW€104.2W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5915pF@37.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.7mΩ@50A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":4765,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA100N10BT4H
工作温度:175℃
功率:110W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2950pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.9mΩ@50A,15V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":808}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86367-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4840pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@80A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":2484,"16+":4700,"9999":249,"MI+":7050}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-1E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":1583}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK4066-DL-E
工作温度:150℃
功率:1.65W€90W
ECCN:EAR99
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12500pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDL100N50F
工作温度:-55℃~150℃
功率:2500W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:238nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:55mΩ@50A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"MI+":500}
销售单位:个
规格型号(MPN):BXL4004-1E
工作温度:150℃
功率:75W
ECCN:EAR99
栅极电荷:140nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8200pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD86567-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:227W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:82nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4950pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: