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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C05NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.61W€79W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：24.7A€116A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C05NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.61W€79W
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
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栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1972pF@15V
连续漏极电流：24.7A€116A
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ECCN：EAR99
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生产批次：{"23+"：3000}
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工作温度：-55℃~175℃
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类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS4C05NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.61W€79W
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：24.7A€116A
类型：N沟道
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