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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HP04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@20V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：18Ω@80mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23202}
销售单位：个
规格型号(MPN)：1HP04CH-TL-W
工作温度：150℃
阈值电压：2.6V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14pF@20V
连续漏极电流：170mA
类型：P沟道
导通电阻：18Ω@80mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：71pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，100mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2.6V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@100mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：71pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123W
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：71pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123L
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：2.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21.5pF@25V
连续漏极电流：170mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@170mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V
栅极电荷：1.8nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：170mA
类型：MOSFET
导通电阻：10Ω
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
