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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：848，"22+"：2375}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8876
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：23nC@5V
输入电容：1.62nF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10V，12.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
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连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
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类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS4470
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.5W
阈值电压：5V@250μA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.659nF@20V
连续漏极电流：12.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：9mΩ@10V，12.5A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6175}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1400}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8876
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1650pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS6680A
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1620pF@15V
连续漏极电流：12.5A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@12.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
